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转移电子器件
zhuǎn yí diàn zi qì jiàn
ㄓㄨㄢˇ ㄧˊ ㄉㄧㄢˋ ㄗ˙ ㄑㄧˋ ㄐㄧㄢˋ
「转移电子器件」是什么意思?
更新 2026-07-17 17:59:51
- 拼音字母zhuan yi dian zi qi jian
- 首字母zydzqj
- 注音符号ㄓㄨㄢ ㄧ ㄉㄧㄢ ㄗ ㄑㄧ ㄐㄧㄢ
扩展释义
耿氏二极管(英语:Gunn diode,香港作耿氏二极体,台湾作甘恩二极体、刚氏二极体),或称转移电子器件(transferred electron device, TED)是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同,它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域:两端是N型重掺杂区,介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时,中央薄层处的电梯度(electrical gradients,类似电化学梯度)最大。由于在导体材料中,电流与电压成正比,导电性将会产生。最终,中央薄层处会产生较高的电场值,从而得到较高的电阻,阻止导电性的...
拆字组词
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